محققان دانشکده فنی مهندسی ویتربی دانشگاه کالیفرنیای جنوبی به یک فناوری حافظه جدید مبتنی بر فناوری اتصال تونلی فرو الکتریک (FTJ) رسیدند.
دستگاه های FTJ افزایش سرعت آپلود داده، افزایش طول عمر باتری تلفن های هوشمند و کاهش خطای داده را به ارمغان دارند.
هان وانگ، دانشیار مهندسی برق و کامپیوتر در دانشکده مهندسی ویتبرتی USC، به همراه دانشمند فوق لیسانس جیانگبین وو، دانشجویان دکترا هونگ یو چن و شیائودونگ یان، یک دستگاه مبتنی بر FTJ با استفاده از مواد فلزی نامتقارن و نیمه-فلز گرافین ساخته اند.
با داشتن این مواد و ساختن آنها به یک ساختار جدید، توانستند از همه کارایی FTJ هایی كه قبلاً ثابت شده بود فراتر روند در حالی كه چشم انداز امیدوار كننده ای برای integration، با الکترونیک سیلیكون داشتند.
علاوه بر این، توانایی منحصر به فرد این مواد برای نزدیک شدن به ضخامت در مقیاس اتمی در نهایت می تواند به حافظه FTJ سریعتر و بازدهی انرژی به صرفه تر منجر شود.
هان وانگ می گوید:
این مواد به ما امکان ساخت وسایلی را می دهند که به طور بالقوه می توانند به ضخامت مقیاس اتمی برسند. این بدان معنی است که ولتاژ مورد نیاز برای خواندن، نوشتن و پاک کردن داده ها میتواند به طرز چشمگیری کاهش یابد که به نوبه خود باعث می شود حافظه الکترونیکی بسیار کارآمدتر شود.
وانگ و محققان دیگرش امیدوارند که با گذشت زمان، دستگاه آنها افزایش یابد و ممکن است نه فقط به عنوان حافظه غیر فرار (non-volatile memory) که در تلفن های همراه و USB استیک می بینیم جایگزین شود، بلکه ممکن است حافظه فرار همانند دستگاههای ذخیره سازی D-RAM باشد که معمولاً در رایانه ها نیز یافت می شود.
علاوه بر این، این دستگاه همچنین ممکن است برای نگه داشتن حالتهای داده چند بیتی در یک سلول واحد طراحی شده باشد و دارای پتانسیل امیدوار کننده ای برای برنامه های in-memory computing و سایر سخت افزارهای محاسباتی باشد.